IGZO技术，全称为 铟镓锌氧化物（Indium Gallium Zinc Oxide），是一种 薄膜电晶体技术，用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。它是一种金属氧化物面板技术，通过在TFT-LCD主动层上添加一层IGZO金属氧化物，从而改进了TFT的驱动性能。
IGZO技术的主要特点包括：
高载流子迁移率：
IGZO的载流子迁移率是非晶硅的20~30倍，这使得TFT对像素电极的充放电速率大大提高，从而提高了像素的响应速度和刷新率。
高分辨率：
由于IGZO技术可以实现更快的响应速度，因此超高分辨率在TFT-LCD中成为可能。
高能效：
IGZO显示器具有更高的能效水平，因为晶体管数量减少和每个像素的透光率提高。
成本竞争力：
IGZO可以利用现有的非晶硅生产线生产，只需稍加改动，因此在成本方面比低温多晶硅更有竞争力。
敏感性：
IGZO面板对光、水以及氧都相当敏感，耐用度上只能用做民间消费品，不能用于高可靠度的军用或工业环境。
IGZO技术已经被广泛应用在中小尺寸液晶面板上，如智能手机、平板电脑和显示器等，夏普等公司在其产品中使用IGZO技术来提高竞争力。