光刻微影技术是一种 用于微电子制造的关键技术，主要用于在半导体材料表面上建立或修正非常小的模式和结构。其基本过程包括使用光刻胶涂覆待加工的硅片表面，在光照下形成可溶解性变化，然后通过显影、清洗等步骤将所需图案转移到硅片上。
光刻技术是集成电路制造中最核心的步骤之一，它决定了芯片的尺寸、形状和电路连接。光刻机设备使用高分辨率的光源和光罩制作，以实现精确可控的图形转移。光刻技术的进步对于提高集成电路的速度、密度和性能至关重要，对于现代科技和电子行业的发展具有重要的意义。
光刻技术的基本原理是利用光通过掩膜的投影，使其照射到光阻涂覆的硅片上，通过化学和物理的作用，将图案转移至硅片表面。光刻胶在光照下会发生化学反应，使得曝光区域和未曝光区域在显影过程中产生明显的溶解性差异，从而形成所需的图案。
光刻技术通常与其他微电子生产技术如薄膜沉积、离子注入等相配合使用，为许多现代科技产品如计算机芯片、智能手机处理器和传感器等重要元件的制造提供了关键支持。