LED外延片技术是指 在加热的衬底基片上，通过化学反应和气相沉积技术生长出具有特定单晶薄膜的过程。这些薄膜是制造LED芯片的关键材料，具有不同的电学性质和结构。LED外延片通常采用的技术包括有机金属化学气相沉积（MOCVD）和分子束外延（MBE）。
在制造过程中，首先选择合适的衬底材料，如蓝宝石、碳化硅（SiC）或硅（Si）。然后，将气态物质如InGaAlP有控制地输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。这些薄膜包括n型GaN、量子阱、p型GaN等，它们将用于制造各种类型的LED芯片，如照明用LED、通信用LED和信息显示用LED。
LED外延片的质量和特性对LED的性能、效率和可靠性有着重要影响。通过精确控制生长过程中的各种参数，如反应气体的流量、温度和压力，可以确保外延层的质量和均匀性，从而提高LED器件的性能。
此外，随着技术的发展，Micro LED技术备受关注，其外延片作为该技术的核心组成部分，正在为未来显示设备的发展带来广阔的前景。Micro LED外延片的制造是Micro LED技术中的一个关键环节，决定了最终产品的质量和性能。