BSI（Backside Illuminated Sensor）技术，即背照式CMOS技术，是一种 用于提高CMOS图像传感器感光度和成像性能的技术。在传统CMOS传感器中，感光二极管位于电路晶体管的后方，这种结构会导致进光量受到电路晶体管的遮挡，从而影响低光环境下的拍摄效果。BSI技术通过将感光二极管的位置翻转，使光线首先进入感光二极管，从而增大感光量，改善低光照条件下的拍摄效果。
BSI技术的优势包括：
高感光度：
BSI技术能够显著提高CMOS传感器的感光度，使其在夜拍和高感光度条件下表现更好。
高分辨率：
由于光线直接进入感光二极管，BSI技术有助于形成更细的像素，从而提高成像的细腻度。
低光性能：
BSI技术能够有效克服传统FSI（Front-Side Illuminated）CMOS传感器在低光环境下的噪声问题，提供更好的画质。
高开口率：
BSI技术中，光线照射方向与金属线路和晶体管方向相反，从而提高了光电转换部分的开口率，接近100%。
BSI技术已经被广泛应用于高端紧凑型相机、智能手机等设备中，如苹果iPhone 4S、魅族MX等，并且各大厂商也在不断开发相关产品以提升其成像性能。