存储器扩展技术主要有以下几种：
位扩展
位扩展是通过将多个存储芯片的数据线和地址线分别并联起来，以增加存储容量。具体实现方法包括将各芯片的地址线、读/写信号线和片选信号线对应地并联在一起，数据线按数据位的高低顺序分别连到数据总线上。例如，两个芯片的10位地址线可以并联，形成一个1 KB的存储单元。
字扩展
字扩展是通过增加存储单元的数量来扩展存储容量，而不改变每个存储单元的字长。当CPU的地址空间大于单个存储芯片的字数时，可以使用字扩展法。例如，使用多片位宽相同的存储器芯片，可以形成一个存储容量更大的存储器。
字和位同时扩展
字和位同时扩展是同时增加存储单元的数量和每个存储单元的位数。这种方法适用于需要同时提高存储容量和字长的场合。例如，使用L×K位存储器芯片，可以组成M×N位的存储器，其中M/L×N/K表示所需的存储器芯片数量。
子扩展
子扩展是字扩展的一种形式，通过将多个存储芯片组合起来，形成一个更大的存储单元。例如，使用两片64K x 8b的存储芯片，可以组成一个128K x 8b的存储器。
线选法
线选法是一种位扩展的方法，通过高位地址作为芯片的片选信号，实现多个存储芯片的并联。例如，高位地址中只有一个引脚为1，其他为0，从而选择相应的存储芯片。
全译码方法
全译码方法是通过将地址总线的低位地址直接与芯片的地址线相连，其余高位地址接入译码器，由译码器的输出作为各芯片的片选信号。这种方法适用于需要全部地址空间的寻址能力。
部分译码方法
部分译码方法是将高位地址线中的一部分进行译码，产生片选信号。这种方法适用于不需要全部地址空间的寻址能力，但线选法地址线不够用的情况。
这些扩展技术可以根据实际应用需求进行选择和组合，以满足不同规模和性能要求的存储系统。