IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是一种由 BJT（双极型晶体管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。它具有自关断的特征，即没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。
IGBT是能源转换与传输的核心器件，可以控制并提供大功率的电力设备电能变换，有效提升设备的能源利用效率、自动化和智能化水平。它在电力控制和电力转换中发挥着至关重要的作用，广泛应用于电力电子装置，如变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT的主要特点包括：
高输入阻抗：
IGBT具有极高的输入阻抗，能够减少电流损耗。
低导通压降：
在导通状态下，IGBT的压降较低，从而提高了电能转换效率。
高速开关特性：
IGBT的开关速度快，能够适应高频率的电力变换需求。
低导通状态损耗：
在非导通状态下，IGBT的损耗较低，提高了整体能效。
高耐压、大电流：
IGBT能够承受较高的电压和电流，适用于各种高功率应用。
随着技术的不断发展，IGBT在低功率、高压、高速、低饱和压降等方面取得了显著的进展，并出现了多种改进型产品，如U-IGBT、NPT-IGBT、SDB-IGBT和超快速IGBT等，以满足不同应用场景的需求。
总的来说，IGBT是一种高效、节能、环保的功率半导体器件，是现代电力电子技术中不可或缺的核心组件。