湿法黑硅技术(MCCE)是一种 利用AgNO3中的Ag/Ag+系统能量远低于硅的价带,使Ag+得到硅的价带电子,并通过H2O2/HF腐蚀过程在Ag周围加速与硅反应,从而在硅片表面腐蚀出纳米级绒面的技术。这种技术能够提高电池的短波响应,进而提高光电流。与干法黑硅相比,湿法黑硅技术新增成本支出相对较小,主要用于多晶金刚线切割的硅片及类单晶上,因此受到很多组件企业的重视,使用率也越来越高。
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湿法黑硅技术(MCCE)是一种 利用AgNO3中的Ag/Ag+系统能量远低于硅的价带,使Ag+得到硅的价带电子,并通过H2O2/HF腐蚀过程在Ag周围加速与硅反应,从而在硅片表面腐蚀出纳米级绒面的技术。这种技术能够提高电池的短波响应,进而提高光电流。与干法黑硅相比,湿法黑硅技术新增成本支出相对较小,主要用于多晶金刚线切割的硅片及类单晶上,因此受到很多组件企业的重视,使用率也越来越高。