CMP技术，即 化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing），是一种在半导体制造过程中广泛应用的表面处理技术。它结合了化学腐蚀和机械研磨的作用，通过在高速旋转的抛光垫上施加压力，使晶圆表面与含有磨料的抛光液发生摩擦，从而去除表面的氧化层和其他杂质，达到高度平坦化的效果。
CMP技术的核心在于化学与机械作用的协同效应。在化学方面，抛光头将晶圆紧压在高速旋转的抛光垫上，抛光垫表面的微绒毛和微小颗粒在压力下与晶圆表面产生摩擦，去除化学作用形成的氧化层，露出新表面。随后，新表面又被化学氧化，再次被机械研磨，如此循环，最终将晶圆表面粗糙度降至纳米级。
CMP技术在半导体制造中具有举足轻重的地位，特别是在制造更小、更复杂的芯片时。它能够实现硅片表面的更高平整度，降低表面粗糙度，提高器件的可靠性和性能。此外，CMP技术还具有较低的成本和简便的操作流程，已成为目前半导体材料表面平整处理的主流技术。
总之，CMP技术是一种在半导体制造中不可或缺的关键工艺，通过化学和机械的协同作用，实现了对半导体材料表面的高精度、高质量平坦化处理。